Изправителен диоден чип
Изправителен диоден чип
Токоизправителният диоден чип, произведен от RUNAU Electronics, първоначално е въведен от стандарта за обработка на GE и технологията, която е съвместима със стандарта за приложение на САЩ и е квалифицирана от клиенти по целия свят.Характеризира се със силни характеристики на устойчивост на термична умора, дълъг експлоатационен живот, високо напрежение, голям ток, силна адаптивност към околната среда и т.н. Всеки чип е тестван в TJM, случайна проверка е строго забранена.Изборът на последователност на параметрите на чипове е наличен, за да бъде предоставен според изискванията на приложението.
Параметър:
| Диаметър mm | Дебелина mm | Волтаж V | Катоден изходен диаметър mm | Tjm ℃ |
| 17 | 1,5±0,1 | ≤2600 | 12.5 | 150 |
| 23.3 | 1,95±0,1 | ≤2600 | 18.5 | 150 |
| 23.3 | 2,15±0,1 | 4200-5500 | 16.5 | 150 |
| 24 | 1,5±0,1 | ≤2600 | 18.5 | 150 |
| 25.4 | 1,4-1,7 | ≤3500 | 19.5 | 150 |
| 29.72 | 1,95±0,1 | ≤2600 | 25 | 150 |
| 29.72 | 1,9-2,3 | 2800-5500 | 23 | 150 |
| 32 | 1,9±0,1 | ≤2200 | 27.5 | 150 |
| 32 | 2±0,1 | 2400-2600 | 26.3 | 150 |
| 35 | 1,8-2,1 | ≤3500 | 29 | 150 |
| 35 | 2,2±0,1 | 3600-5000 | 27.5 | 150 |
| 36 | 2,1±0,1 | ≤2200 | 31 | 150 |
| 38.1 | 1,9±0,1 | ≤2200 | 34 | 150 |
| 40 | 1,9-2,2 | ≤3500 | 33.5 | 150 |
| 40 | 2,2-2,5 | 3600-6500 | 31.5 | 150 |
| 45 | 2,3±0,1 | ≤3000 | 39.5 | 150 |
| 45 | 2,5±0,1 | 3600-4500 | 37.5 | 150 |
| 50.8 | 2,4-2,7 | ≤4000 | 43.5 | 150 |
| 50.8 | 2,8±0,1 | 4200-5000 | 41.5 | 150 |
| 55 | 2,4-2,8 | ≤4500 | 47.7 | 150 |
| 55 | 2.8-3.1 | 5200-6500 | 44.5 | 150 |
| 63.5 | 2,6-3,0 | ≤4500 | 56.5 | 150 |
| 63.5 | 3,0-3,3 | 5200-6500 | 54.5 | 150 |
| 70 | 2.9-3.1 | ≤3200 | 63.5 | 150 |
| 70 | 3,2±0,1 | 3400-4500 | 62 | 150 |
| 76 | 3,4-3,8 | ≤4500 | 68.1 | 150 |
| 89 | 3.9-4.3 | ≤4500 | 80 | 150 |
| 99 | 4,4-4,8 | ≤4500 | 89.7 | 150 |
Техническа Спецификация:
RUNAU Electronics предоставя мощни полупроводникови чипове на токоизправителен диод и заваръчен диод.
1. Нисък спад на напрежението в включено състояние
2. Златната метализация ще бъде приложена за подобряване на проводимостта и свойствата на разсейване на топлината.
3. Двуслойна защита
Съвети:
1. За да остане по-добра производителност, чипът трябва да се съхранява в азот или вакуум, за да се предотврати промяната на напрежението, причинена от окисляване и влажност на молибденови парчета
2. Винаги поддържайте повърхността на чипа чиста, моля, носете ръкавици и не докосвайте чипа с голи ръце
3. Работете внимателно в процеса на употреба.Не повреждайте повърхността на ръба на смолата на чипа и алуминиевия слой в областта на полюсите на затвора и катода
4. При тестване или капсулиране, моля, имайте предвид, че успоредността, плоскостта и силата на затягане на приспособлението трябва да съвпадат с посочените стандарти.Лошият паралелизъм ще доведе до неравномерен натиск и повреда на стружки със сила.Ако се наложи излишна сила на затягане, чипът ще се повреди лесно.Ако наложената сила на затягане е твърде малка, лошият контакт и разсейването на топлината ще повлияят на приложението.
5. Блокът под налягане в контакт с повърхността на катода на чипа трябва да бъде закален
Препоръчайте сила на затягане
| Размер на чипове | Препоръка за сила на затягане |
| （KN）±10% | |
| Φ25,4 | 4 |
| Φ30 или Φ30,48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 или Φ40 | 15 |
| Φ50,8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63,5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |