Новата платформа за симулационен дизайн на силови полупроводникови устройства беше създадена наскоро в Рунау.С помощта на усъвършенствана платформа за симулация и комбиниран тест и анализ, задълбоченото изследване на структурата на устройството и свързаната с него основна теория се проведе ползотворно.Използването на авангардна теория и изследователска платформа накара компанията да разработи и усвои ключовата технология за обработка на 5” тиристорен чип, GTO и IGCT.Пълна технологична способност за производство на тиристор, токоизправителен диод, модул на Шотки, IGCT, IGBT, тиристор за високо напрежение и висок ток, както и за изграждане на пилотна тестова платформа за диоди с ултрабързо възстановяване, всички бяха налични в Рунау успешно.По-нататъшна солидна стъпка за изграждане на производствена база на устройства за силова електроника в Китай, ние сме на път.